[发明专利]SiC单晶及其制造方法有效
| 申请号： | 201180071725.4 | 申请日： | 2011-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN103608497B | 公开（公告）日： | 2016-10-12 |
| 发明（设计）人： | 旦野克典 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 段承恩;杨光军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供结晶性高的大口径的SiC单晶。一种SiC单晶，其包含：具有c面以及非c面的籽晶；和以所述籽晶的c面以及非c面为基点，在c面方向以及非c面方向生长了的c面生长部以及口径扩大部，在与所述籽晶的c面平行的、包含所述籽晶以及所述口径扩大部的平面内，在所述平面内的周边部存在不含贯穿位错的连续区域，所述连续区域的面积相对于所述平面整体的面积占有50%以上的面积。 | ||
| 搜索关键词： | sic 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种SiC单晶，其包含：具有c面以及非c面的籽晶；和以所述籽晶的c面以及非c面为基点在c面方向以及非c面方向生长了的c面生长部以及口径扩大部，在与所述籽晶的c面平行的、包含所述籽晶以及所述口径扩大部的平面内，在所述平面内的周边部存在不含贯穿位错的连续区域，所述连续区域的面积相对于所述平面整体的面积占有50％以上的面积。
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