[发明专利]发光元件芯片及其制造方法无效
申请号: | 201180071131.3 | 申请日: | 2011-05-25 |
公开(公告)号: | CN103563103A | 公开(公告)日: | 2014-02-05 |
发明(设计)人: | 曹明焕;李锡雨;张弼国;鸟羽隆一;门胁嘉孝 | 申请(专利权)人: | 同和电子科技有限公司;伟方亮有限公司 |
主分类号: | H01L33/38 | 分类号: | H01L33/38;H01L33/00 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种可安全装配的发光元件芯片及其制造方法。发光元件芯片(10)在支撑部(11)上有着具备了发光层(12a)的半导体层(12)。支撑部(11)为凹状,构成此发光元件芯片(10)上的支撑基板,同时,与半导体层(12)上一侧的电极相连接。支撑部(11)的外周部即支撑部外周部(11a)围绕半导体层(12),且比半导体层(12)的另一面(12d)、n侧电极(15)更加突出,设定在更高的位置上。 | ||
搜索关键词: | 发光 元件 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种发光元件芯片,其具备了在导电性的支撑部上形成具有发光层的半导体层的结构,所述支撑部具备了与连接在所述半导体层一面的一侧电极相连接的结构,其特征为:在所述半导体层的另一面形成了凹凸,且在所述另一面形成了另一侧电极;所述支撑部具备了外周部,其包围所述半导体层的另一面的周围,该外周部与所述半导体层的另一面及所述另一侧电极相比更向上侧突出。
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