[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201180057486.7 | 申请日： | 2011-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN103229304A | 公开（公告）日： | 2013-07-31 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;高桥正弘;丸山哲纪 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 通过对将氧化物半导体膜用作沟道的晶体管给予稳定的电特性来制造高可靠性半导体装置。形成可通过热处理具有第一晶体结构的氧化物半导体膜及可通过热处理具有第二晶体结构的氧化物半导体膜而加以层叠，并接着进行热处理，由此通过将具有第二晶体结构的氧化物半导体膜作为晶种而发生晶体生长，以形成具有第一晶体结构的氧化物半导体膜。以此方式形成的氧化物半导体膜应用于晶体管的有源层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：第一绝缘膜；与所述第一绝缘膜重叠的第二绝缘膜；夹在所述第一绝缘膜与所述第二绝缘膜之间的半导体膜的叠层，该半导体膜的叠层包括：第一氧化物半导体膜；和接触所述第一氧化物半导体膜并且夹在所述第一氧化物半导体膜与所述第二绝缘膜之间的第二氧化物半导体膜；以及与所述半导体膜的叠层重叠的导电膜，它们之间夹有所述第二绝缘膜，其中，所述第二氧化物半导体膜的氮浓度高于所述第一氧化物半导体膜的氮浓度。
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