[发明专利]无芯衬底处理中的电解沉积和通孔填充在审
| 申请号： | 201180056593.8 | 申请日： | 2011-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN103229294A | 公开（公告）日： | 2013-07-31 |
| 发明（设计）人： | 吴涛;N.R.瓦茨 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L23/12 | 分类号： | H01L23/12;H01L23/48 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 曲卫涛;朱海煜 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 描述包括无芯衬底的电子组件及其利用电解电镀的制造。一种方法包括：提供包括金属的核芯；以及在核芯上形成电介质材料。该方法还包括在电介质材料中形成通孔，通孔定位成曝露金属区域。该方法还包括执行在通孔中以及在金属区域上电解电镀金属的步骤，其中核芯在在通孔中电解电镀金属期间电耦合到电源，并将电流传输至金属区域。该方法还包括在在通孔中电解电镀金属之后去除金属核芯。还描述其它实施例并要求其它实施例的权利。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 处理 中的 电解 沉积 填充 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：提供包括金属的核芯；在所述核芯上形成电介质材料；在所述电介质材料中形成通孔，所述通孔定位成曝露金属区域；执行在所述通孔中以及在所述金属区域上电解电镀金属的步骤，其中所述核芯在在所述通孔中电解电镀金属期间电耦合到电源，并将电流传输至所述金属区域；以及在在所述通孔中电解电镀金属之后去除所述金属核芯。
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