[发明专利]用于提高BJT电流增益的低温注入在审
| 申请号： | 201180051279.0 | 申请日： | 2011-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN103180934A | 公开（公告）日： | 2013-06-26 |
| 发明（设计）人： | M-Y·状 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/328 | 分类号： | H01L21/328;H01L21/265;H01L21/331;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及一种形成包括双极结晶体管（BJT）（1002）和金属氧化物半导体（MOS）（1004）晶体管的集成电路的工艺，其通过冷却集成电路衬底至5℃或更低温度，并且同时根据核素种类以指定的最小剂量将掺杂剂注入到BJT的发射极区域和MOS晶体管的源极和漏极中来实现。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 提高 bjt 电流 增益 低温 注入 | ||
【主权项】：
一种形成包括npn双极结晶体管BJT和n沟道金属氧化物半导体NMOS晶体管的集成电路的工艺，其包括：在所述npn BJT的发射极区域和所述NMOS晶体管的源极和漏极区域之上，在所述集成电路的衬底的硅顶部区域的顶表面上方形成注入屏蔽介电层；在所述注入屏蔽介电层上方形成注入掩模，使得暴露出所述发射极区域和所述源极和漏极区域；使所述集成电路的所述衬底与衬底卡盘接触；冷却所述衬底卡盘，使得所述集成电路的所述衬底被冷却至5℃的温度或更低温度；以及当所述衬底被冷却至5℃或更低温度时，同时将n型掺杂剂离子注入到所述发射极区域和所述源极和漏极区域中，其中所述n型掺杂剂和所述n型掺杂剂的剂量选自由以下各项组成的群组：剂量至少为8×1014个原子/cm2的磷，剂量至少为6×1013个原子/cm2的砷，剂量至少为6×1013个原子/cm2的锑，以及其任意组合。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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