[发明专利]半导体封装用防护玻璃及其制造方法在审
| 申请号： | 201180043719.8 | 申请日： | 2011-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN103097317A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 驹井誉子;村田隆;淀川正弘 | 申请（专利权）人： | 日本电气硝子株式会社 |
| 主分类号： | C03C3/091 | 分类号： | C03C3/091;C03B17/06;C03C3/085;C03C3/087;H01L23/02;H01L27/14 |
| 代理公司： | 北京泛诚知识产权代理有限公司 11298 | 代理人： | 陈波;朱弋 |
| 地址： | 日本滋贺*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体封装用防护玻璃及其制造方法，该防护玻璃具有适于塑料封装的热膨胀系数，且能够通过图像检测正确检测是否存在杂质和尘埃等，且其α射线的放射量通常很少。该防护玻璃的特征在于，以质量%计含有SiO258～75%、Al2O31.1～20%、B2O30～10%、Na2O0.1～20%、K2O0～11%、碱土金属氧化物0～20%，在30～280℃的温度范围内的平均热膨胀系数为90～180×10-7/℃，杨氏模量在68GPa以上，来自玻璃的α射线的放射量在0.05c/cm2·hr以下。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 防护 玻璃 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体封装用防护玻璃，其特征在于，以质量%计含有SiO258～75%、Al2O31.1～20%、B2O30～10%、Na2O0.1～20%、K2O0～11%、碱土金属氧化物0～20%，在30～380℃的温度范围内的平均热膨胀系数为90～180×10‑7/℃，杨氏模量在68GPa以上，来自所述玻璃的α射线的放射量在0.05c/cm2·hr以下。
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