[发明专利]半导体面发光元件以及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201180037546.9 申请日: 2011-06-21
公开(公告)号: CN103038959A 公开(公告)日: 2013-04-10
发明(设计)人: 广瀬和义;古田慎一;渡边明佳;杉山贵浩;柴田公督;黑坂刚孝;野田进 申请(专利权)人: 浜松光子学株式会社;国立大学法人京都大学
主分类号: H01S5/18 分类号: H01S5/18;H01L33/22
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 杨琦
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明所涉及的半导体面发光元件其特征在于具备:光子晶体层(6),周期性地将多个孔(H)形成于由闪锌矿型结构的第1化合物半导体构成的基本层(6A)内,并且使由闪锌矿型结构的第2化合物半导体构成的埋入层(6B)在孔(H)内生长;活性层(4),对光子晶体层(6)提供光;基本层(6A)的主表面为(001)面,孔(H)的侧面具有至少不同的3个{100}面。
搜索关键词: 半导体 发光 元件 及其 制造 方法
【主权项】:
一种半导体面发光元件,其特征在于:具备:光子晶体层,周期性地将多个孔形成于由闪锌矿型结构的第1化合物半导体构成的基本层内,并且使由闪锌矿型结构的第2化合物半导体构成的埋入层在所述孔内生长而成;和活性层,对所述光子晶体层提供光,所述基本层的主表面为(001)面,所述孔的侧面包含至少不同的3个{100}面或者围绕所述主表面的法线以小于±35度的旋转角度使这些面旋转的面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浜松光子学株式会社;国立大学法人京都大学,未经浜松光子学株式会社;国立大学法人京都大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201180037546.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top