[发明专利]半导体面发光元件以及其制造方法有效
申请号: | 201180037546.9 | 申请日: | 2011-06-21 |
公开(公告)号: | CN103038959A | 公开(公告)日: | 2013-04-10 |
发明(设计)人: | 广瀬和义;古田慎一;渡边明佳;杉山贵浩;柴田公督;黑坂刚孝;野田进 | 申请(专利权)人: | 浜松光子学株式会社;国立大学法人京都大学 |
主分类号: | H01S5/18 | 分类号: | H01S5/18;H01L33/22 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 杨琦 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明所涉及的半导体面发光元件其特征在于具备:光子晶体层(6),周期性地将多个孔(H)形成于由闪锌矿型结构的第1化合物半导体构成的基本层(6A)内,并且使由闪锌矿型结构的第2化合物半导体构成的埋入层(6B)在孔(H)内生长;活性层(4),对光子晶体层(6)提供光;基本层(6A)的主表面为(001)面,孔(H)的侧面具有至少不同的3个{100}面。 | ||
搜索关键词: | 半导体 发光 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体面发光元件,其特征在于:具备:光子晶体层,周期性地将多个孔形成于由闪锌矿型结构的第1化合物半导体构成的基本层内,并且使由闪锌矿型结构的第2化合物半导体构成的埋入层在所述孔内生长而成;和活性层,对所述光子晶体层提供光,所述基本层的主表面为(001)面,所述孔的侧面包含至少不同的3个{100}面或者围绕所述主表面的法线以小于±35度的旋转角度使这些面旋转的面。
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