[发明专利]紫外半导体发光元件有效
| 申请号： | 201180029764.8 | 申请日： | 2011-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN102947955B | 公开（公告）日： | 2016-10-19 |
| 发明（设计）人： | 野口宪路;椿健治;高野隆好 | 申请（专利权）人： | 松下知识产权经营株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10;H01L33/32 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 周欣;陈建全 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种紫外半导体发光元件，其在n型氮化物半导体层与p型氮化物半导体层之间具有发光层，而且具有与n型氮化物半导体层接触的n电极和与p型氮化物半导体层接触的p电极，p型氮化物半导体层具备带隙比发光层小、与p电极的接触为欧姆接触的p型接触层。在p型氮化物半导体层中的与发光层相反侧的表面上，避开p电极的形成区域地形成有凹部，在凹部的内底面形成有反射从发光层放射的紫外光的反射膜。 | ||
| 搜索关键词： | 紫外 半导体 发光 元件 | ||
【主权项】：
一种紫外半导体发光元件，其特征在于：在n型氮化物半导体层与p型氮化物半导体层之间具有发光层，而且具有与所述n型氮化物半导体层接触的n电极和与所述p型氮化物半导体层接触的p电极，所述p型氮化物半导体层至少具备带隙比所述发光层小、且与所述p电极的接触为欧姆接触的p型接触层，在所述p型氮化物半导体层中的与所述发光层相反侧的表面上，避开所述p电极的形成区域地形成有凹部，在所述凹部的内底面形成有反射从所述发光层放射的紫外光的反射膜，在该紫外半导体发光元件中，从所述发光层放射的紫外光从所述n型氮化物半导体层中的与所述发光层侧成相反侧取出，所述p型氮化物半导体层从所述p电极侧依次具有所述p型接触层、带隙比所述p型接触层大的p型包覆层，所述凹部的深度比所述p型接触层的厚度大。
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