[发明专利]具有应变纳米线沟道及嵌入式SiGe源极和漏极应力源的p-FET

摘要

提供了在基于纳米级沟道的场效应晶体管（FET）中嵌入硅锗（e-SiGe）源极和漏极应力源的技术。在一方面中，一种制造FET的方法包括以下步骤。提供掺杂的衬底，在所述掺杂的衬底上具有电介质。在所述电介质上设置至少一个硅（Si）纳米线。掩蔽所述纳米线的一个或多个部分而使所述纳米线的其它部分暴露。在所述纳米线的暴露的部分上生长外延锗（Ge）。使所述外延Ge与所述纳米线中的Si相互扩散而形成嵌入在所述纳米线中的SiGe区域，所述SiGe区域在所述纳米线中引入压缩应变。所述掺杂的衬底用作所述FET的栅极，所述纳米线的掩蔽部分用作所述FET的沟道，且嵌入的SiGe区域用作所述FET的源极和漏极区域。

主权项

一种制造场效应晶体管（FET）的方法，包括以下步骤：提供掺杂的衬底，在所述掺杂的衬底上具有电介质；在所述电介质上设置至少一个硅纳米线；掩蔽所述纳米线的一个或多个部分而使所述纳米线的其它部分暴露；在所述纳米线的暴露的部分上生长外延锗；以及使所述外延锗与所述纳米线中的硅相互扩散而形成嵌入在所述纳米线中的硅锗区域，所述硅锗区域在所述纳米线中引入压缩应变，其中，所述掺杂的衬底用作所述FET的栅极，所述纳米线的掩蔽部分用作所述FET的沟道，且嵌入的硅锗区域用作所述FET的源极和漏极区域。