[发明专利]基板的清洗方法和半导体制造装置有效
申请号: | 201180010143.5 | 申请日: | 2011-02-23 |
公开(公告)号: | CN102763196A | 公开(公告)日: | 2012-10-31 |
发明(设计)人: | 星野聪彦;松井英章;成岛正树 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社;岩谷产业株式会社 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 提供一种能够在保持图案形状的状态下清洗至图案底部的清洗方法。在保持为真空状态的处理容器(100)内对晶片(W)上的膜上形成有规定图案的晶片(W)进行清洗的方法,包括:利用所希望的清洁气体对通过蚀刻处理形成有规定图案的晶片(W)上的膜进行清洗的工序(前工序);在前工序后,利用氧化性气体使图案表面的残渣氧化的工序(氧化工序);和利用还原性气体使上述被氧化的残渣还原的工序(还原工序)。氧化工序和还原工序连续执行(连续工序)。前工序和连续工序中所使用的气体,通过从内部压力(PS)保持为比处理容器(100)的内部压力(P0)高的气体喷嘴(110)放出至处理容器(100)内而被团簇化。 | ||
搜索关键词: | 清洗 方法 半导体 制造 装置 | ||
【主权项】:
一种基板的清洗方法,用于在保持为真空状态的处理容器内,对在基板上的膜上形成有规定图案的基板进行清洗,其特征在于,包括:前工序,利用所希望的清洁气体对通过蚀刻处理形成有规定图案的基板上的膜进行清洗;和连续工序,在前工序后连续执行氧化工序和还原工序,其中,所述氧化工序是利用氧化性气体使所述图案表面的残渣氧化的工序,所述还原工序中是利用还原性气体使所述被氧化的残渣还原的工序,所述前工序和所述连续工序中所使用的气体,通过从内部压力PS保持为比所述处理容器的内部压力P0高的气体喷嘴放出至所述处理容器内而团簇化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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