[发明专利]基板的清洗方法和半导体制造装置有效

专利信息
申请号: 201180010143.5 申请日: 2011-02-23
公开(公告)号: CN102763196A 公开(公告)日: 2012-10-31
发明(设计)人: 星野聪彦;松井英章;成岛正树 申请(专利权)人: 东京毅力科创株式会社;岩谷产业株式会社
主分类号: H01L21/304 分类号: H01L21/304
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 龙淳
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 提供一种能够在保持图案形状的状态下清洗至图案底部的清洗方法。在保持为真空状态的处理容器(100)内对晶片(W)上的膜上形成有规定图案的晶片(W)进行清洗的方法,包括:利用所希望的清洁气体对通过蚀刻处理形成有规定图案的晶片(W)上的膜进行清洗的工序(前工序);在前工序后,利用氧化性气体使图案表面的残渣氧化的工序(氧化工序);和利用还原性气体使上述被氧化的残渣还原的工序(还原工序)。氧化工序和还原工序连续执行(连续工序)。前工序和连续工序中所使用的气体,通过从内部压力(PS)保持为比处理容器(100)的内部压力(P0)高的气体喷嘴(110)放出至处理容器(100)内而被团簇化。
搜索关键词: 清洗 方法 半导体 制造 装置
【主权项】:
一种基板的清洗方法,用于在保持为真空状态的处理容器内,对在基板上的膜上形成有规定图案的基板进行清洗,其特征在于,包括:前工序,利用所希望的清洁气体对通过蚀刻处理形成有规定图案的基板上的膜进行清洗;和连续工序,在前工序后连续执行氧化工序和还原工序,其中,所述氧化工序是利用氧化性气体使所述图案表面的残渣氧化的工序,所述还原工序中是利用还原性气体使所述被氧化的残渣还原的工序,所述前工序和所述连续工序中所使用的气体,通过从内部压力PS保持为比所述处理容器的内部压力P0高的气体喷嘴放出至所述处理容器内而团簇化。
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