[发明专利]一种绝缘栅双极型晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201180002477.8 | 申请日： | 2011-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN102439725A | 公开（公告）日： | 2012-05-02 |
| 发明（设计）人： | 张斌;韩雁;张世峰;胡佳贤 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/10;H01L21/331 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 胡红娟 |
| 地址： | 310058 中国浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 提供一种绝缘栅双极型晶体管(IGBT)及其制备方法，该IGBT包括N型基区、P型基区(28)、背P+阳极区(21)、N+阴极区(26)、栅氧化层(24)、阳极(20)、栅电极(25)和阴极(27)，所述的N型基区由依次层叠的N+扩散残留层(29)、N-基区(23)和N+缓冲层(22)组成，所述的N+扩散残留层(29)和N+缓冲层(22)从与N-基区(23)的边界起始向外掺杂浓度逐渐增加。IGBT在N-基区(23)正面设置N+扩散残留层(29)，提高了N型正面的离子掺杂浓度，降低了结型场效应晶体管(JEFT)电阻的影响，从而有效降低IGBT的导通压降，同时对IGBT的正向阻断电压(耐压)的影响降低到最小。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 绝缘 栅双极型 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种绝缘栅双极型晶体管，包括N型基区、P型基区、背P+阳极区、N+阴极区、栅氧化层、阳极、栅电极和阴极，其特征在于：所述的N型基区由依次层叠的N+扩散残留层、N‑基区和N+缓冲层组成，所述的N+扩散残留层和N+缓冲层从与N‑基区的边界起始向外掺杂浓度逐渐增加。
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