[实用新型]一种超薄太阳能级硅片有效
| 申请号： | 201120332321.3 | 申请日： | 2011-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN202217669U | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 甘大源;刘坤;张顺怡;黄志明 | 申请（专利权）人： | 太仓协鑫光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/028 | 分类号： | H01L31/028;H01L31/0352 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 215434 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种超薄太阳能级硅片，其本体为方形薄片，该方形薄片的四个角中至少一个为45°倒角。本实用新型提供的超薄太阳能级硅片的倒角为45°，受力稳定，在切割后不会造成缺角、不易崩边，且在加工硅片端面时，不容易产生破坏性的崩口，提高了硅片生产的良品率和后期加工的使用率；将超薄太阳能级硅片的厚度由原来的200±20μm降低到160±4μm，提高了硅片的出片率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超薄 太阳 能级 硅片 | ||
【主权项】：
一种超薄太阳能级硅片，其本体(1)为上、下两平行平面组成的方形薄片，其特征在于：所述的方形薄片的四个角中至少一个为45°倒角。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
