[实用新型]一种超薄太阳能级硅片有效
申请号: | 201120332321.3 | 申请日: | 2011-09-06 |
公开(公告)号: | CN202217669U | 公开(公告)日: | 2012-05-09 |
发明(设计)人: | 甘大源;刘坤;张顺怡;黄志明 | 申请(专利权)人: | 太仓协鑫光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/028 | 分类号: | H01L31/028;H01L31/0352 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 柏尚春 |
地址: | 215434 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 超薄 太阳 能级 硅片 | ||
技术领域
本实用新型涉及太阳能硅片加工行业,尤其涉及一种超薄太阳能级硅片。
背景技术
目前在太阳能硅片加工行业,整个切割过程是钢线带着砂浆高速运动完成对硅料的切割,硅片经过切割后边缘表面有稜角毛刺崩边甚至有裂缝或其它缺陷,边缘表面比较粗糙。另外,由于硅片四角为直角,在运输、加工过程中更容易造成缺角、崩碎等现象,严重影响硅片生产的良品率。
实用新型内容
发明目的:本实用新型的目的是为了解决现有技术的不足,提供一种不易造成缺角、不易崩碎的超薄太阳能级硅片。
技术方案:为了实现以上目的,本实用新型所述的一种超薄太阳能级硅片,其本体为上、下两平行平面组成的方形薄片,所述的方形薄片的四个角中至少一个为45°倒角。
所述本体的厚度优选为160±4μm。
所述本体的厚度进一步优选为160μm。
有益效果:本实用新型提供的超薄太阳能级硅片的倒角为45°,受力稳定,在切割后不会造成缺角、不易崩边,且在加工硅片端面时,不容易产生破坏性的崩口,提高了硅片生产的良品率和后期加工的使用率;将超薄太阳能级硅片的厚度厚度由原来的200±20μm降低到160±4μm,将单位硅锭出片数提高了13%,提高了硅片的出片率。
附图说明
图1为本实用新型的俯视图;
图2为本实用新型的左视图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例,进一步阐明本实用新型。
如图1、图2所示的超薄太阳能级硅片,其本体1为上、下两平行平面组成的方形薄片,该方形薄片的四个角均为45°倒角,即角度(a)为45°。该本体1的厚度(d)为160μm(在156~164范围内均可)。本体表面光滑、平整、无瑕疵。
本实用新型加工方法是先将硅片切割成厚度为160±4μm的超薄太阳能级硅片,再采用倒角机,将切割后硅片的4个边缘角磨削呈梯形,对硅片边缘进行倒角处理,直接将硅锭切割成截面为边长为156*156mm的方形、四角为相等的45°倒角,对角距离为219mm的八角方形柱体。
本实用新型的厚度比现有普通太阳能级硅片薄,将超薄太阳能级硅片的厚度由原来的200降低到160μm,出片率增加至58片/千克,提高了13%的出片率,减少了硅料损耗13%左右,与原始出片率50片/千克,每千克多产8片,每吨多产8000片,若每片为15元,可增加收入12万元。由于切割成45°倒角,切割后的硅锭余料成块状,可回炉再次利用,节省生产成本,每吨可节约材料35公斤,若每吨的价格为3000元,每吨可节约人民币10.5万元。
上述实施例只为说明本实用新型的技术构思及特点,其目的是让熟悉该技术领域的技术人员能够了解本实用新型的内容并据以实施,并不能以此来限制本实用新型的保护范围。凡根据本实用新型精神实质所作出的等同变换或修饰,都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的