[实用新型]一种具有电流阻挡层的LED芯片有效
| 申请号： | 201120288686.0 | 申请日： | 2011-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN202196806U | 公开（公告）日： | 2012-04-18 |
| 发明（设计）人： | 林素慧;何安和;尹灵峰;刘传桂;郑建森 | 申请（专利权）人： | 安徽三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 241000 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种具有新型电流阻挡层的LED芯片，其特征在于包括：生长衬底；N-GaN层、发光层和P-GaN层，依次形成于生长衬底上；透明导电层，形成于P-GaN层上；P电极欧姆接触层，形成于透明导电层上；N电极欧姆接触层，形成于暴露的N-GaN层上；呈树枝状或网格点状的电流阻挡层，形成于P电极欧姆接触层的下方但不局限于正下方，且介于P电极欧姆接触层与P-GaN层之间。本实用新型具有优化电流扩散能力，同时提高LED芯片的散热能力、寿命及可靠性等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 电流 阻挡 led 芯片 | ||
【主权项】：
一种具有电流阻挡层的LED芯片，其特征在于包括：生长衬底；N‑GaN层、发光层和P‑GaN层，依次形成于蓝宝石基板上；透明导电层，形成于P‑GaN层上；P电极欧姆接触层，形成于透明导电层上；N电极欧姆接触层，形成于暴露的N‑GaN层上；电流阻挡层，介于P电极欧姆接触层与P‑GaN层之间，呈树枝状或网格点状。
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