[实用新型]一种具有反射型电流阻挡层的LED芯片有效
| 申请号： | 201120189190.8 | 申请日： | 2011-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN202094166U | 公开（公告）日： | 2011-12-28 |
| 发明（设计）人： | 樊邦扬;叶国光;梁伏波;杨小东;曹东兴 | 申请（专利权）人： | 广东银雨芯片半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/10 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 529700 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种具有反射型电流阻挡层的LED芯片，包括N型半导体层、形成在N型半导体层上的发光层、形成在发光层上的P型半导体层、形成在P型半导体层上的透明导电层、形成在透明导电层上的P电极和形成于N型半导体层上的N电极，在P型半导体层上P电极对应的正下方形成有第一沟槽，第一沟槽上形成有电流阻挡层，电流阻挡层由多层二氧化硅层和二氧化钛层交互层叠而成。本实用新型具有散热效率高、电流扩散均匀、出光效率高等优点。电流阻挡层既起到阻挡电流的作用，使LED芯片的电流扩散均匀以达到热稳定的性能，又起到光线反射的作用以提高LED芯片的出光效率，同时，本实用新型还具有结构简单、易于量产、良率高的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 反射 电流 阻挡 led 芯片 | ||
【主权项】：
一种具有反射型电流阻挡层的LED芯片，包括N型半导体层、形成在N型半导体层上的发光层、形成在发光层上的P型半导体层、形成在P型半导体层上的透明导电层、形成在透明导电层上的P电极和形成于N型半导体层上的N电极，其特征在于：在所述P型半导体层上P电极对应的正下方形成有第一沟槽，所述第一沟槽上形成有电流阻挡层，所述电流阻挡层由多层二氧化硅层和二氧化钛层交互层叠而成。
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