[实用新型]一种具有方形硅纳米孔洞的太阳能电池无效
| 申请号： | 201120054165.9 | 申请日： | 2011-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN202084569U | 公开（公告）日： | 2011-12-21 |
| 发明（设计）人： | 蔡永梅;张迎九;汪素兰;要峰;王晓霞 | 申请（专利权）人： | 郑州大学 |
| 主分类号： | H01L31/06 | 分类号： | H01L31/06;H01L31/0352;H01L31/068;H01L31/075 |
| 代理公司： | 郑州红元帅专利代理事务所(普通合伙) 41117 | 代理人： | 徐皂兰 |
| 地址： | 450001 河南省郑州市科*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种具有方形硅纳米孔洞的太阳能电池，其中，包括P型或N型硅衬底，在硅衬底上刻蚀有方形纳米孔洞；在方形纳米孔洞上设置N型或P型薄膜层，与P型或N型的具有方形硅纳米孔洞的硅衬底组成PN结；在硅衬底上的薄膜层表面及硅衬底另一面设置有电极层。本实用新型将方形硅纳米孔洞结构及太阳能电池结构结合起来，获得一种新型绒面结构，降低了硅片表面的反射率，提高了光吸收量，具有光电转换率高，性能稳定性好的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 方形 纳米 孔洞 太阳能电池 | ||
【主权项】：
一种具有方形硅纳米孔洞的太阳能电池，其特征在于：包括P型或N型硅衬底，在硅衬底上刻蚀有方形纳米孔洞；在方形纳米孔洞上设置N型或P型薄膜层，与P型或N型的具有方形硅纳米孔洞的硅衬底组成PN结；在硅衬底上的薄膜层表面及硅衬底另一面设置有电极层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
