[实用新型]一种半导体器件的加热装置有效
申请号: | 201120025808.7 | 申请日: | 2011-01-26 |
公开(公告)号: | CN201946584U | 公开(公告)日: | 2011-08-24 |
发明(设计)人: | 于广;王晓忠;梁建长 | 申请(专利权)人: | 京信通信技术(广州)有限公司 |
主分类号: | H01L23/34 | 分类号: | H01L23/34;H05B3/00 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 王昕;曾旻辉 |
地址: | 510663 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种半导体器件的加热装置,其包括导热的底座、固定于底座上的PCB板、设于PCB板上的需要加热的半导体器件以及电加热体,在所述底座上分别设有第一腔室和第二腔室,所述需要加热的半导体器件容纳于该第一腔室内,且该半导体器件的顶面与该第一腔室的底面直接接触或者通过设于两者之间的导热体接触,所述加热体固定于该第二腔室内。本实用新型的加热装置利用电加热体对PCB板的底座加热,通过底座再传热到半导体器件,因此,系统温升比较均匀,半导体器件上下表面温差较小,焊脚不会产生应力变形等不利影响;并且,半导体器件正常工作时,对半导体器件正常工作的散热没有影响。 | ||
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【主权项】:
一种半导体器件的加热装置,其包括导热的底座、固定于底座上的PCB板、设于PCB板上的需要加热的半导体器件以及电加热体,其特征在于:在所述底座上分别设有第一腔室和第二腔室,所述需要加热的半导体器件容纳于该第一腔室内,且该半导体器件的顶面与该第一腔室的底面直接接触或者通过设于两者之间的导热体接触,所述加热体固定于该第二腔室内。
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