[发明专利]在SrTiO3衬底上调控多铁铁酸铋外延薄膜带隙的方法无效
| 申请号： | 201110458268.6 | 申请日： | 2011-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN102723400A | 公开（公告）日： | 2012-10-10 |
| 发明（设计）人： | 付振;尹志岗;陈诺夫;张兴旺;吴金良;张汉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种在SrTiO3衬底上调控多铁铁酸铋外延薄膜带隙的方法，包括如下步骤：1)选择一钛酸锶衬底；2)在SrTiO3衬底上生长一种富Bi组分的BiFeO3外延薄膜；3)控制BiFeO3外延薄膜中Bi与Fe的原子百分比，调节BiFeO3外延薄膜与SrTiO3衬底的晶格失配度；4)控制生长富Bi组分的BiFeO3外延薄膜的厚度，调节BiFeO3外延薄膜的面内双轴应力。 | ||
| 搜索关键词： | srtio sub 衬底 调控 多铁铁酸铋 外延 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种在SrTiO3衬底上调控多铁铁酸铋外延薄膜带隙的方法，包括如下步骤：1)选择一钛酸锶衬底；2)在SrTiO3衬底上生长一种富Bi组分的BiFeO3外延薄膜；3)控制BiFeO3外延薄膜中Bi与Fe的原子百分比，调节BiFeO3外延薄膜与SrTiO3衬底的晶格失配度；4)控制生长富Bi组分的BiFeO3外延薄膜的厚度，调节BiFeO3外延薄膜的面内双轴应力。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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