[发明专利]多次外延生长方法有效
| 申请号： | 201110457595.X | 申请日： | 2011-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN103187250A | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | 吴琼;乔春羽;王刚宁;周立超;叶逸舟 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;C30B25/14 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种多次外延生长方法，包括以下步骤：提供一半导体衬底；在衬底上沉积一层二氧化硅层；在所述二氧化硅层表面的边缘区域上涂覆一圈光刻胶，由所述光刻胶围成第一窗口；刻蚀第一窗口内的二氧化硅层，暴露出衬底表面，在二氧化硅层中形成第二窗口；去除光刻胶；在第二窗口内的衬底上依次进行多次外延生长。本发明采用二氧化硅作为半导体衬底轮廓倒角处的保护层，利用选择性外延不在二氧化硅上生长特性，从而在每次外延生长中不需要重新制作保护层，简化工艺，同时衬底轮廓倒角的保护层的形成仅采用光刻胶涂覆边缘区域，刻蚀形成衬底轮廓倒角的保护层，省去掩膜版的使用，从而降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 多次 外延 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种外延生长方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一半导体衬底；在衬底上沉积一层二氧化硅层；在所述二氧化硅层表面的边缘区域上涂覆一圈光刻胶，由所述光刻胶围成第一窗口；刻蚀第一窗口内的二氧化硅层，暴露出衬底表面，在二氧化硅层中形成第二窗口；去除光刻胶；在第二窗口内的衬底上依次进行多次外延生长。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
