[发明专利]化合物半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201110456942.7 | 申请日： | 2011-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN102651388A | 公开（公告）日： | 2012-08-29 |
| 发明（设计）人： | 今田忠纮 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/778;H01L21/28;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 蔡胜有;董文国 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 实现了一种高可靠性高电压耐受性化合物半导体器件，其能够改善器件运行速度、具有高雪崩耐受性、抗浪涌、在应用于例如逆变电路时不需要连接任何外部二极管并且在即使产生空穴时也实现稳定的运行，以及减轻电场在栅电极上的集中并由此实现电压耐受性的进一步提高。栅电极形成为利用电极材料通过栅极绝缘膜填充在堆叠化合物半导体结构中形成的电极凹陷，并且在堆叠化合物半导体结构中形成的场板凹陷填充有p型半导体，由此形成与堆叠化合物半导体结构接触的p型半导体层。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种化合物半导体器件，包括：堆叠化合物半导体结构；在所述堆叠化合物半导体结构上形成的栅电极；和在所述堆叠化合物半导体结构上形成的并且具有与所述堆叠化合物半导体结构所具有的导电类型相反的导电类型的半导体层。
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