[发明专利]用于连续沉积掺杂薄膜层到基底上的汽相沉积设备及方法在审
| 申请号： | 201110451791.6 | 申请日： | 2011-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN102534508A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | J·N·约翰森;赵宇;S·D·费尔德曼-皮博迪 | 申请（专利权）人： | 通用电气公司 |
| 主分类号： | C23C14/24 | 分类号： | C23C14/24;C23C14/06;C23C14/56 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 朱铁宏;杨楷 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及用于连续沉积掺杂薄膜层到基底上的汽相沉积设备及方法。具体而言，提供了一种将升华的源材料作为掺杂薄膜汽相沉积到光伏(PV)模块基底上的设备及相关工艺。容器设置在真空头部室内且构造成用于接收从第一进料管供送的源材料。第二进料管可提供掺杂材料到沉积头部中。加热式分配歧管设置在容器下方且包括限定为经由其穿过的多个通路。容器由分配歧管间接地加热至足以升华容器内的源材料的程度。分配板设置在分配歧管下方且处在传送穿过设备的基底的水平面上方限定距离，以便将穿过分配歧管的升华源材料进一步分配到下方基底的上表面上。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 连续 沉积 掺杂 薄膜 基底 设备 方法 | ||
【主权项】：
一种用于将升华的源材料作为薄膜汽相沉积到光伏(PV)模块基底(14)上的设备(100)，所述设备包括：沉积头部(110)；构造成用以将源材料供送到所述沉积头部中的第一进料管(148)；构造成用以将掺杂材料作为流体供送到所述沉积头部(110)中的第二进料管(151)；设置在所述沉积头部(110)中的容器(116)，所述容器(116)构造成用于从所述第一进料管(148)接收所述源材料；构造成用以加热所述容器(116)的加热式分配歧管(124)；以及，分配板(152)，所述分配板设置在所述容器(116)下方并处在传送穿过所述设备(100)的基底(14)的上表面的水平传送平面上方的限定距离，所述分配板(152)包括经由其穿过的通路图案。
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