[发明专利]用于连续沉积掺杂薄膜层到基底上的汽相沉积设备及方法

权利要求书

1.一种用于将升华的源材料作为薄膜汽相沉积到光伏(PV)模块基底(14)上的设备(100)，所述设备包括：

沉积头部(110)；

构造成用以将源材料供送到所述沉积头部中的第一进料管(148)；

构造成用以将掺杂材料作为流体供送到所述沉积头部(110)中的第二进料管(151)；

设置在所述沉积头部(110)中的容器(116)，所述容器(116)构造成用于从所述第一进料管(148)接收所述源材料；

构造成用以加热所述容器(116)的加热式分配歧管(124)；以及，

分配板(152)，所述分配板设置在所述容器(116)下方并处在传送穿过所述设备(100)的基底(14)的上表面的水平传送平面上方的限定距离，所述分配板(152)包括经由其穿过的通路图案。

2.根据权利要求1所述的设备(100)，其特征在于，所述第二进料管(151)构造成用以将所述掺杂材料作为液体供送至所述容器(116)。

3.根据权利要求1或权利要求2所述的设备(100)，其特征在于，所述第二进料管(151)连接到喷嘴(153)上。

4.根据任一前述权利要求所述的设备(100)，其特征在于，所述设备(100)还包括：

流动控制装置(167)，所述流动控制装置连接到所述第二进料管(151)上且构造成用以控制所述掺杂材料到所述沉积头部(110)的流速。

5.根据任一前述权利要求所述的设备(100)，其特征在于，所述设备(100)还包括在所述沉积头部(110)的各纵向端处的沿横向延伸的密封件(154)，所述密封件(154)限定用于基底(14)传送穿过所述设备(100)的进入槽口(156)和退出槽口(158)，所述密封件(154)设置在所述基底(14)的表面上方一定距离处，所述一定距离小于所述基底(14)的表面与所述分配板(152)之间的距离。

6.根据任一前述权利要求所述的设备(100)，其特征在于，所述设备(100)还包括设置在所述分配歧管(124)与所述容器(116)之间的碎屑防护件(150)。

7.根据任一前述权利要求所述的设备，其特征在于，所述加热式分配歧管(124)设置在所述容器(116)下方，以及其中所述分配歧管(124)包括限定为经由其穿过的多个通路，所述容器(116)由所述分配歧管(124)间接地加热至足以升华所述容器(116)内的源材料的程度。

8.一种用于汽相沉积升华的源材料以在光伏模块基底(14)上形成薄膜的方法，所述方法包括：

将源材料供送至沉积头部(110)内的容器(116)；

将掺杂材料作为流体供送至所述沉积头部(110)；

加热所述容器(116)以升华所述源材料；

在所述容器(116)下方传送单独的基底(14)；以及

将所述升华的源材料分配到所述基底(14)的上表面上，使得所述基底(14)在传送方向上的前区段和后区段受到大致相同的汽相沉积状态，以便在所述基底(14)的上表面上获得所期望的大致均匀厚度的薄膜层。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述掺杂材料作为液体供送至所述沉积头部(110)，以及其中所述掺杂材料与所述升华的源材料一起蒸发。

10.根据权利要求8或权利要求9所述的方法，其特征在于，所述源材料经由第一进料管(148)供送至所述容器(116)，以及其中所述掺杂材料经由第二进料管(163)供送至所述沉积头部(110)。

11.根据权利要求8至权利要求10中任一项所述的方法，其特征在于，所述掺杂材料作为液体供送。

12.根据权利要求8至权利要求11中任一项所述的方法，其特征在于，所述掺杂材料作为气体供送。

13.根据权利要求8至权利要求12中任一项所述的方法，其特征在于，所述掺杂材料利用运载流体供送。

14.根据权利要求8至权利要求13中任一项所述的方法，其特征在于，所述源材料包括碲化镉。

15.根据权利要求8至权利要求14中任一项所述的方法，其特征在于，所述掺杂材料包括Cl、N、O或它们的混合物。