[发明专利]基板处理装置以及基板处理方法无效
申请号: | 201110446256.1 | 申请日: | 2011-12-28 |
公开(公告)号: | CN102543685A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
发明(设计)人: | 德丸胜;山内俊和 | 申请(专利权)人: | 拉碧斯半导体株式会社 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;G03F7/30 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 闫小龙;王忠忠 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种能够抑制在喷射喷嘴的前端部附近所残留的药液向被处理膜上滴落的基板处理装置以及基板处理方法。基板处理装置(1)具有:喷射喷嘴(20);喷嘴移动机构(21),使喷射喷嘴(20)相对于支持构件(12)在高度方向以及水平方向相对移动;旋转驱动部(14),使基体材料(W)旋转。喷嘴移动机构(21)使喷射喷嘴(20)从比待机位置更靠上方的第一上方位置向靠近基体材料(W)的方向水平移动到第二上方位置,从第二上方位置向下方位置下降。然后,喷射喷嘴移动机构(21)使喷射喷嘴(20)水平移动到晶片(W)上的喷出位置。 | ||
搜索关键词: | 处理 装置 以及 方法 | ||
【主权项】:
一种基板处理装置,其特征在于,具有:支持构件,对在上表面具有被处理膜的基体材料进行支持;喷射喷嘴,喷出用于处理所述被处理膜的药液;喷嘴移动机构,使所述喷射喷嘴相对于所述支持构件在高度方向以及水平方向分别相对移动;旋转驱动部,使所述基体材料旋转;喷嘴移动控制部,对所述喷射喷嘴移动机构的动作进行控制; 喷出控制部,从所述喷射喷嘴朝向所述被处理膜喷出所述药液;以及旋转控制部,对所述旋转驱动部的动作进行控制,所述喷嘴移动机构具有:水平移动机构,使所述喷射喷嘴从比所述基体材料的位置高的第一上方位置向靠近所述基体材料的方向水平移动到比所述基体材料的外缘部更靠外侧的第二上方位置;以及升降机构,使所述喷射喷嘴从所述第二上方位置向比该第二上方位置低并且比所述基体材料的位置高的下方位置下降,在所述喷射喷嘴向所述下方位置移动之后,所述水平移动机构使所述喷射喷嘴从该下方位置水平移动到所述基体材料的正上方的喷出位置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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