[发明专利]基板处理装置以及基板处理方法

说明书

技术领域

本发明涉及对基体材料上的被处理膜实施使用了药液的处理的技术。

背景技术

在半导体制造工艺中，利用光刻工序在晶片上形成抗蚀剂图形，将该抗蚀剂图形用作刻蚀掩模。一般地，光刻工序包括：在实施了前处理的晶片的被加工面涂敷感光性树脂材料(光致抗蚀剂)并且进行干燥来形成感光性树脂膜的工序；曝光工序，利用透过底版的光对该感光性树脂膜进行曝光，将底版的图形转印到感光性树脂膜上；显影工序，使用药液(显影液)对转印到感光性树脂膜上的图形进行显影。作为显影方式，公知有例如喷射显影方式或浸渍（dip）显影方式。喷射显影方式是如下方式：以高压使显影液从喷射喷嘴的前端部喷出，向感光性树脂膜的表面供给显影液。例如，在日本特开2007-134367号公报(专利文献1)中公开了这种喷射显影方式。

[专利文献1]：日本特开2007-134367号公报(例如，段落0032～0034，图1)。

但是，在喷射显影方式中存在如下问题：当使用相同的喷射喷嘴对多个晶片连续执行显影处理时，显影液残留在喷射喷嘴前端部的喷出口附近并成为液滴，滴落到感光性树脂膜上。在喷射喷嘴前端部的喷出口附近所残留的显影液与外部气体接触而变质，所以，当残留的显影液比新鲜的显影液先行滴落到感光性树脂膜上时，存在引起显影不良的危险。在该情况下，存在如下问题：抗蚀剂图形的膜厚产生偏差或者抗蚀剂图形的尺寸精度(例如，微小开口部的尺寸精度)降低。

发明内容

本发明是鉴于上述问题而提出的，其目的在于提供一种基板处理装置以及基板处理方法，能够抑制在喷射喷嘴的前端部附近所残留的显影液等药液滴落到被处理膜上。

本发明提供一种基板处理装置，其特征在于，具有：支持构件，对在上表面具有被处理膜的基体材料进行支持；喷射喷嘴，喷出用于处理所述被处理膜的药液；喷嘴移动机构，使所述喷射喷嘴相对于所述支持构件分别在高度方向以及水平方向相对移动；旋转驱动部，使所述基体材料旋转；喷嘴移动控制部，对所述喷射喷嘴移动机构的动作进行控制；喷出控制部，使所述药液从所述喷射喷嘴朝向所述被处理膜喷出；以及旋转控制部，对所述旋转驱动部的动作进行控制，所述喷嘴移动机构具有：水平移动机构，使所述喷射喷嘴从比所述基体材料的位置高的第一上方位置向靠近所述基体材料的方向水平移动到比所述基体材料的外缘部更靠外侧的第二上方位置；升降机构，使所述喷射喷嘴从所述第二上方位置向比该第二上方位置低并且比所述基体材料的位置高的下方位置下降，在所述喷射喷嘴向所述下方位置移动之后，所述水平移动机构使所述喷射喷嘴从该下方位置水平移动到所述基体材料的正上方的喷出位置。

本发明提供一种基板处理装置中的基板处理方法，该基板处理装置具有：支持构件，对在上表面具有被处理膜的基体材料进行支持；喷射喷嘴，喷出用于处理所述被处理膜的药液；喷嘴移动机构，使所述喷射喷嘴相对于所述支持构件在高度方向以及水平方向相对移动；旋转驱动部，使所述基体材料旋转，该基板处理方法的特征在于，具有如下步骤：使所述喷嘴移动机构将所述喷射喷嘴从比所述基体材料的位置高的第一上方位置向靠近所述基体材料的方向水平移动到比所述基体材料的外缘部更靠外侧的第二上方位置；使所述喷嘴移动机构将所述喷射喷嘴从所述第二上方位置向比该第二上方位置低并且比所述基体材料的位置高的下方位置下降；在所述喷射喷嘴向所述下方位置移动之后，使所述喷嘴移动机构将所述喷射喷嘴从该下方位置水平移动到所述基体材料的正上方的喷出位置。

根据本发明，能够抑制喷射喷嘴的前端部附近所残留的药液滴落在被处理膜上。

附图说明

图1是示意性地示出作为本发明的实施方式1的基板处理装置的显影装置的主要结构的图。

图2是示出图1所示的显影装置的一部分的平面图。

图3是示意性地示出实施方式1的显影处理的顺序（sequence）的一例的时序图。

图4是示出实施方式1的喷射喷嘴的移动路径(去路径)的图。

图5是示意性地示出显影液的喷出状态的图。

图6是示出实施方式1的喷射喷嘴的移动路径(回路径)的图。

图7是示出实施方式1的冲洗喷嘴的移动路径(去路径)的图。

图8是示意性地示出实施方式2的显影处理的顺序的一例的时序图。

图9是示意性地示出实施方式3的显影处理的顺序的一例的时序图。

附图标记说明：

W 半导体晶片

1 显影装置

10 内杯体

10h 开口部