[发明专利]高集成高可靠工作温度可控薄膜混合集成电路的集成方法

摘要

高集成高可靠工作温度可控薄膜混合集成电路及其集成方法，该电路由器件管壳基座(1)、管脚(9)、氮化铝陶瓷基片(2)、半导体芯片(3)、热敏元件(4)、薄膜阻带(5)、薄膜导带/键合区(6)、N型半导体(7)、P型半导体(8)、微型热电致冷器（11）和绝缘介质(10)组成，陶瓷基片(2)正面是微型热电致冷器(11)与常规混合集成电路的一体化集成；N型半导体(7)、P型半导体(8)两端引有连接线，之间填充绝缘介质(10)；陶瓷基片(2)置于器件管壳基座(1)之上。集成方法是高真空溅射并进行刻蚀形成金属电极、N型半导体、P型半导体。本集成电路可以解决外界温度在125℃以上或-55℃以下的正常工作问题。广泛应用于航天、航空、船舶、精密仪器、地质勘探、石油勘探、通讯等领域。

主权项

一种高集成高可靠工作温度可控薄膜混合集成电路，其特征在于该电路由器件管壳基座(1)、管脚(9)、氮化铝陶瓷基片(2)、半导体芯片(3)、热敏元件(4)、薄膜阻带(5)、薄膜导带/键合区(6)、N型半导体(7)、P型半导体(8)、微型热电致冷器（11）和绝缘介质(10)组成，陶瓷基片(2)正面是微型热电致冷器(11)与常规混合集成电路的一体化集成，包括薄膜阻带(5)、薄膜导带/键合区(6)、半导体芯片(3)、N型半导体(7)、P型半导体(8)和微型元器件；N型半导体(7)、P型半导体(8)的两端引出有连接线，之间填充有绝缘介质(10)；陶瓷基片(2)背面通过金属膜置于器件管壳基座(1)之上，管脚(9)装在器件管壳基座(1)的两端。