[发明专利]电荷存储单元以及图像传感器像素电路无效
申请号: | 201110444974.5 | 申请日: | 2011-12-28 |
公开(公告)号: | CN102544050A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
发明(设计)人: | 汪辉;丁毅岭;陈杰;方娜;田犁 | 申请(专利权)人: | 上海中科高等研究院 |
主分类号: | H01L27/24 | 分类号: | H01L27/24;H01L27/146;G11C19/28 |
代理公司: | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人: | 孙佳胤;翟羽 |
地址: | 201210 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供了一种电荷储存单元,具有一输入端和一输出端,所述电荷储存单元包括曝光控制晶体管、输出晶体管和相变电阻:所述曝光控制晶体管的漏/源极为所述电荷储存单元的输入端,源/漏极连接至所述相变电阻的第一端;所述相变电阻的第二端接地;所述输出晶体管的漏/源极连接至曝光控制晶体管的漏/源极与感光二极管的负极的共连接端,源/漏极为所述电荷存储单元的输出端,栅极接输出控制信号。本发明的优点在于,相变电阻会在非晶状态和晶体状态间切换,因此能够储存光信号,最后通过外加的驱动电流读出电压信号。并且相变材料的状态不会随外界温度或者辐照产生变化,并且相变材料本身具有不挥发性、功耗低、读写速度快的优点。 | ||
搜索关键词: | 电荷 存储 单元 以及 图像传感器 像素 电路 | ||
【主权项】:
一种电荷储存单元,其特征在于,具有一输入端和一输出端,所述电荷储存单元包括曝光控制晶体管、输出晶体管和相变电阻: 所述曝光控制晶体管的漏/源极为所述电荷储存单元的输入端,源/漏极连接至所述相变电阻的第一端; 所述相变电阻的第二端接地; 所述输出晶体管的漏/源极连接至曝光控制晶体管的漏/源极与感光二极管的负极的共连接端,源/漏极为所述电荷存储单元的输出端,栅极接输出控制信号。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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