[发明专利]电荷存储单元以及图像传感器像素电路无效
申请号: | 201110444974.5 | 申请日: | 2011-12-28 |
公开(公告)号: | CN102544050A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
发明(设计)人: | 汪辉;丁毅岭;陈杰;方娜;田犁 | 申请(专利权)人: | 上海中科高等研究院 |
主分类号: | H01L27/24 | 分类号: | H01L27/24;H01L27/146;G11C19/28 |
代理公司: | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人: | 孙佳胤;翟羽 |
地址: | 201210 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 电荷 存储 单元 以及 图像传感器 像素 电路 | ||
1.一种电荷储存单元,其特征在于,具有一输入端和一输出端,所述电荷储存单元包括曝光控制晶体管、输出晶体管和相变电阻: 所述曝光控制晶体管的漏/源极为所述电荷储存单元的输入端,源/漏极连接至所述相变电阻的第一端; 所述相变电阻的第二端接地; 所述输出晶体管的漏/源极连接至曝光控制晶体管的漏/源极与感光二极管的负极的共连接端,源/漏极为所述电荷存储单元的输出端,栅极接输出控制信号。
2.根据权利要求1所述的电荷储存单元,其特征在于,所述相变电阻包括相变材料层,可编程体、绝缘体以及加热体,所述可编程体嵌入在相变材料层的表面,所述加热体设置在可编程体的暴露表面,所述绝缘体包裹所述加热体。
3.根据权利要求1所述的电荷储存单元,其特征在于,所述相变电阻设置在形成晶体管的半导体衬底表面的布线层中。
4.一种图像传感器像素电路,包括一感光二极管,其特征在于,进一步包括权利要求1所述的电荷储存单元,所述电荷存储单元的输入端连接至感光二极管的负极,输出端连接至信号线。
5.根据权利要求4所述的图像传感器像素电路,其特征在于,进一步包括复位晶体管、放大晶体管、和行选择晶体管,感光二极管的正极接地,负极接复位晶体管的源极,复位晶体管的漏极接工作电压,栅极接复位控制信号;放大晶体管的栅极接感光二极管的正极与复位晶体管的源极的共连接端,漏极接工作电压,源极接行选择晶体管的漏极;行选择晶体管的源极为输出端,栅极接行选控制信号。
6.根据权利要求5所述的图像传感器像素电路,其特征在于,进一步包括传输晶体管,所述感光二极管进一步是通过传输晶体管的源极和漏极连接至复位晶体管的源极,以及连接至电荷存储单元的输入端。
7.根据权利要求4所述的图像传感器像素电路,其特征在于,所述相变电阻包括相变材料层,可编程体、绝缘体以及加热体,所述可编程体嵌入在相变材料层的表面,所述加热体设置在可编程体的暴露表面,所述绝缘体包裹所述加热体。
8.根据权利要求4所述的图像传感器像素电路,其特征在于,所述相变电阻设置在形成晶体管的半导体衬底表面的布线层中。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海中科高等研究院,未经上海中科高等研究院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110444974.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的