[发明专利]电荷存储单元以及图像传感器像素电路无效

专利信息
申请号: 201110444974.5 申请日: 2011-12-28
公开(公告)号: CN102544050A 公开(公告)日: 2012-07-04
发明(设计)人: 汪辉;丁毅岭;陈杰;方娜;田犁 申请(专利权)人: 上海中科高等研究院
主分类号: H01L27/24 分类号: H01L27/24;H01L27/146;G11C19/28
代理公司: 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 代理人: 孙佳胤;翟羽
地址: 201210 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 电荷 存储 单元 以及 图像传感器 像素 电路
【权利要求书】:

1.一种电荷储存单元,其特征在于,具有一输入端和一输出端,所述电荷储存单元包括曝光控制晶体管、输出晶体管和相变电阻: 所述曝光控制晶体管的漏/源极为所述电荷储存单元的输入端,源/漏极连接至所述相变电阻的第一端; 所述相变电阻的第二端接地; 所述输出晶体管的漏/源极连接至曝光控制晶体管的漏/源极与感光二极管的负极的共连接端,源/漏极为所述电荷存储单元的输出端,栅极接输出控制信号。

2.根据权利要求1所述的电荷储存单元,其特征在于,所述相变电阻包括相变材料层,可编程体、绝缘体以及加热体,所述可编程体嵌入在相变材料层的表面,所述加热体设置在可编程体的暴露表面,所述绝缘体包裹所述加热体。

3.根据权利要求1所述的电荷储存单元,其特征在于,所述相变电阻设置在形成晶体管的半导体衬底表面的布线层中。

4.一种图像传感器像素电路,包括一感光二极管,其特征在于,进一步包括权利要求1所述的电荷储存单元,所述电荷存储单元的输入端连接至感光二极管的负极,输出端连接至信号线。

5.根据权利要求4所述的图像传感器像素电路,其特征在于,进一步包括复位晶体管、放大晶体管、和行选择晶体管,感光二极管的正极接地,负极接复位晶体管的源极,复位晶体管的漏极接工作电压,栅极接复位控制信号;放大晶体管的栅极接感光二极管的正极与复位晶体管的源极的共连接端,漏极接工作电压,源极接行选择晶体管的漏极;行选择晶体管的源极为输出端,栅极接行选控制信号。

6.根据权利要求5所述的图像传感器像素电路,其特征在于,进一步包括传输晶体管,所述感光二极管进一步是通过传输晶体管的源极和漏极连接至复位晶体管的源极,以及连接至电荷存储单元的输入端。

7.根据权利要求4所述的图像传感器像素电路,其特征在于,所述相变电阻包括相变材料层,可编程体、绝缘体以及加热体,所述可编程体嵌入在相变材料层的表面,所述加热体设置在可编程体的暴露表面,所述绝缘体包裹所述加热体。

8.根据权利要求4所述的图像传感器像素电路,其特征在于,所述相变电阻设置在形成晶体管的半导体衬底表面的布线层中。

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