[发明专利]一种多个衬底屏蔽层的集成电路片上电感结构无效
| 申请号： | 201110442277.6 | 申请日： | 2011-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN102446898A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 孙玲玲;文进才;苏国东;郭丽丽 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 杜军 |
| 地址： | 310018 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种多个衬底屏蔽层的集成电路片上电感结构。本发明包括片上电感，在片上电感的正下方设置有多层衬底屏蔽层；所述的衬底屏蔽层由矩形金属条和多根形状相同的金属栅条组成，所述的金属栅条与矩形金属条垂直设置，金属栅条之间等间距平行设置。本发明的多个衬底屏蔽层能实现更好的衬底隔离，减小衬底损耗，并且通过多个衬底屏蔽层能实现电容功能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 衬底 屏蔽 集成电路 电感 结构 | ||
【主权项】：
一种多个衬底屏蔽层的集成电路片上电感结构，其特征在于：包括片上电感，在片上电感的正下方设置有多层衬底屏蔽层；所述的衬底屏蔽层由矩形金属条和多根形状相同的金属栅条组成，所述的金属栅条与矩形金属条垂直设置，金属栅条之间等间距平行设置。
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