[发明专利]二极管SF芯片的制造方法

摘要

本发明公开了一种二极管SF芯片的制造方法，将表面处理后的硅片放在扩散炉中，通入液态磷源进行预沉积及扩散推进；再用氢氟酸浸泡后，去除表面的氧化层，控制硅片的整体厚度，将一面的扩散结N+磨掉，采用液态硼源，控制扩散炉内的温度进行扩散成P+，再将其表面进行粗面化处理；再经过超砂、电子清洗剂处理的硅片，在炉中氧化，控制铂扩散炉中的温度，将硅片进行金属铂的注入；经铂扩散后的硅片进行放在电泳液中进行电泳，电泳后将硅片放置烧结炉中进行烧结；将得到的硅片用氢氟酸浸泡后，再用去离子水超声清洗，进行两次镀镍处理及镀金处理，将处理后的硅片从台面沟槽处划成单个芯粒，即得所需二极管SF芯片。

主权项

二极管SF芯片的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)将表面处理后的硅片放在扩散炉中，控制扩散炉内的温度在1100～1200℃范围内，气体携带通入液态磷源进行预沉积，控制气体的流速在每小时大概3.5立方，通气3小时，所述的磷源覆盖率大于99％；(2)控制扩散炉内的温度在1200～1250℃范围内，对步骤(1)中经预沉积后的硅片进行扩散推进；(3)将步骤(2)中经扩散推进的硅片用氢氟酸浸泡后，再用去离子水超声清洗，以去除其表面的氧化层；(4)将步骤(3)中得到硅片，将其一面的扩散结N+磨掉，控制硅片的整体厚度在220～240um范围内；(5)将步骤(4)中得到的硅片清洗干净，采用液态硼源，控制扩散炉内的温度在1200～1250℃范围内，进行扩散成P+，再将其表面进行粗面化处理；(6)将步骤(5)中得到的硅片经过超砂、电子清洗剂处理的硅片，在1100～1200℃的氧化炉中氧化；(7)将步骤(6)中得到的硅片经过清洗后，控制铂扩散炉中的温度在900～910℃的范围内，将硅片进行金属铂的注入；(8)将步骤(7)中得到的经铂扩散后的硅片进行涂胶、曝光、显影、去氧化层，控制混酸温度在8～12℃范围内，利用混酸刻蚀台面沟槽；(9)将硅片放在电泳液中进行电泳，电泳后将硅片放置于800～820℃的烧结炉中进行烧结；(10)将步骤(9)中得到的硅片用氢氟酸浸泡后，再用去离子水超声清洗，以去除其表面的氧化层；(11)将步骤(10)中经去除氧化层得到的硅片进行一次镀镍处理后，再放在500℃的炉内烧1小时后，再进行二次镀镍处理；(12)将步骤(11)中经二次镀镍后的硅片进行镀金处理；(13)将步骤(12)中经镀金处理的硅片从台面沟槽处划成单个芯粒，即 得所需二极管SF芯片。