[发明专利]二极管SF芯片的制造方法

权利要求书

1.二极管SF芯片的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)将表面处理后的硅片放在扩散炉中，控制扩散炉内的温度在1100～1200℃范围内，气体携带通入液态磷源进行预沉积，控制气体的流速在每小时大概3.5立方，通气3小时，所述的磷源覆盖率大于99％；

(2)控制扩散炉内的温度在1200～1250℃范围内，对步骤(1)中经预沉积后的硅片进行扩散推进；

(3)将步骤(2)中经扩散推进的硅片用氢氟酸浸泡后，再用去离子水超声清洗，以去除其表面的氧化层；

(4)将步骤(3)中得到硅片，将其一面的扩散结N+磨掉，控制硅片的整体厚度在220～240um范围内；

(5)将步骤(4)中得到的硅片清洗干净，采用液态硼源，控制扩散炉内的温度在1200～1250℃范围内，进行扩散成P+，再将其表面进行粗面化处理；

(6)将步骤(5)中得到的硅片经过超砂、电子清洗剂处理的硅片，在1100～1200℃的氧化炉中氧化；

(7)将步骤(6)中得到的硅片经过清洗后，控制铂扩散炉中的温度在900～910℃的范围内，将硅片进行金属铂的注入；

(8)将步骤(7)中得到的经铂扩散后的硅片进行涂胶、曝光、显影、去氧化层，控制混酸温度在8～12℃范围内，利用混酸刻蚀台面沟槽；

(9)将硅片放在电泳液中进行电泳，电泳后将硅片放置于800～820℃的烧结炉中进行烧结；

(10)将步骤(9)中得到的硅片用氢氟酸浸泡后，再用去离子水超声清洗，以去除其表面的氧化层；

(11)将步骤(10)中经去除氧化层得到的硅片进行一次镀镍处理后，再放在500℃的炉内烧1小时后，再进行二次镀镍处理；

(12)将步骤(11)中经二次镀镍后的硅片进行镀金处理；

(13)将步骤(12)中经镀金处理的硅片从台面沟槽处划成单个芯粒，即得所需二极管SF芯片。

2.根据权利要求1所述的二极管SF芯片的制造方法，其特征在于：所述的步骤(1)中的液态磷源为三氯化磷。

3.根据权利要求1所述的二极管SF芯片的制造方法，其特征在于：所述的步骤(2)中的氢氟酸选用浓度为30％的氢氟酸。

4.根据权利要求1所述的二极管SF芯片的制造方法，其特征在于：所述的步骤(4)中的液态硼源选用配比为：氧化硼∶无水乙醇为3∶7的混合物。

5.根据权利要求1所述的二极管SF芯片的制造方法，其特征在于：所述的步骤(6)中的喷砂处理，其喷砂的颗粒为600目金刚砂。

6.根据权利要求1所述的二极管SF芯片的制造方法，其特征在于：所述的步骤(6)中的电子清洗剂处理，其清洗剂选用型号为051哈摩粉。

7.根据权利要求1所述的二极管SF芯片的制造方法，其特征在于：所述的步骤(7)中的金属铂的注入，其金属铂选用比例为铂金水∶异丙醇为1∶9的混合物。

8.根据权利要求1所述的二极管SF芯片的制造方法，其特征在于：所述的步骤(8)中的混酸选用配比为硝酸∶氢氟酸∶冰乙酸∶硫酸为9∶9∶12∶4的混酸。

9.根据权利要求1所述的二极管SF芯片的制造方法，其特征在于：所述的步骤(9)中的电泳液为：93.75％的异丙醇与6.25％的聚乙烯蜡的混合液，并在每10升的混合液中添加375克玻璃粉即为所需的电泳液；其电泳液所需的时间根据台面沟槽序沉积的玻璃重量设置。

10.根据权利要求1所述的二极管SF芯片的制造方法，其特征在于：所述的步骤(10)中的氢氟酸选用浓度为10％的氢氟酸。