[发明专利]一种减小电荷共享效应的CMOS器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201110436842.8 | 申请日： | 2011-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN102522424A | 公开（公告）日： | 2012-06-27 |
| 发明（设计）人： | 黄如;谭斐;安霞;黄芊芊;杨东;张兴 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L29/32 | 分类号： | H01L29/32;H01L27/092;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 | 代理人： | 张肖琪 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种减小电荷共享效应的CMOS器件及其制备方法。本发明的CMOS器件在隔离区的正下方设置俘获载流子的附加隔离区。该附加隔离区的材料为多孔硅等，由于多孔硅是一种通过电化学阳极氧化单晶硅片形成的海绵状结构的功能材料，多孔硅的表面层内存在大量的微孔和悬挂键。这些缺陷会在多孔硅的禁带中央形成缺陷态，缺陷态可俘获载流子，导致电阻增大，且随着腐蚀电流密度的增大，孔隙率增大，多孔硅中的缺陷增多。本发明中利用多孔硅中缺陷态俘获载流子的特性可减小重离子引起的电荷共享效应，浅沟道隔离STI区和下方隔离区的形成只需要一次光刻，工艺简单，且可以极大地提高集成电路的抗辐射性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 减小 电荷 共享 效应 cmos 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种减小辐射环境下电荷共享效应的CMOS器件，所述CMOS器件包括衬底(1)、隔离区(4)、有源区(5)、栅区(6)、LDD区(7)、栅侧墙(8)、源区和漏区(9)，其特征在于，在所述隔离区的正下方设置俘获载流子的附加隔离区(3)。
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