[发明专利]半导体晶片及半导体装置无效
| 申请号： | 201110432270.6 | 申请日： | 2011-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN102593160A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 松尾哲二 | 申请（专利权）人： | 三垦电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/12 | 分类号： | H01L29/12 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;黄纶伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体晶片及半导体装置，其具有能够在抑制裂纹的产生的同时被厚膜化，且具有导电性的氮化物半导体层。该半导体晶片具有：多层膜，其具有由未掺杂的第1氮化物半导体层和晶格常数比该第1氮化物半导体层大的未掺杂的第2氮化物半导体层交替地层叠而成的结构；以及未掺杂的第3氮化物半导体层，其配置在多层膜上，晶格常数比第1氮化物半导体层大，其中，半导体晶片在膜厚方向上具有导电性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 晶片 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体晶片，其特征在于具有：多层膜，其具有由未掺杂的第1氮化物半导体层和未掺杂的第2氮化物半导体层交替地层叠而成的结构，该第2氮化物半导体层的晶格常数比该第1氮化物半导体层大；以及未掺杂的第3氮化物半导体层，其配置在所述多层膜上，晶格常数比所述第1氮化物半导体层大，该半导体晶片在膜厚方向上具有导电性。
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