[发明专利]用于增强MIS结构的电绝缘和动态性能的方法和结构

摘要

本发明的实施例提供一种用于增强包括垂直场平板的MIS结构的电绝缘和动态性能的方法和结构。在一种MIS结构中，通过使用绝缘氧化物层将场平板电极并入在掩埋栅极电极之下，该绝缘氧化物层与栅极介电层同时形成。为了获得较好的动态性能和增强的介电强度，例如通过加入期望的高浓度的砷修改了场平板电极的氧化性能。

主权项

一种用于形成MIS(金属‑绝缘体‑半导体)结构的方法，所述方法包括：在形成于晶状半导体区内的腔中形成第一半导体电极，所述第一半导体电极通过绝缘层与所述晶状半导体区电绝缘，同时地对所述晶状半导体区在所述腔中的暴露表面和所述第一半导体电极的暴露表面进行氧化，以便在所述第一半导体电极的暴露表面形成第一氧化物层，以及在所述晶状半导体区的暴露表面上形成第二氧化物层，以及在所述腔中并且在所述第一半导体电极之上形成第二半导体电极，所述第二半导体电极通过所述第一氧化物层与所述第一半导体电极电隔离；其中形成所述第一半导体电极包括沉积第一含硅层以及在所述含硅层之上沉积第二含硅层，所述第一含硅层相对于所述晶状半导体区在所述腔中的暴露表面具有增加的氧化速率，所述第二含硅层相对于所述含硅层具有不同的氧化速率。