[发明专利]集成电路及其制造方法有效
| 申请号： | 201110426055.5 | 申请日： | 2011-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN102738218A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 阿里·凯沙瓦齐;郭大鹏;宋淑惠;曾祥仁;林学仕;鲁立忠;吴忠政;田丽钧;杨荣展;陈淑敏;曹敏;侯永清 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;房岭梅 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种集成电路，包括用于第一类型晶体管的第一扩散区域。第一类型晶体管包括第一漏极区和第一源极区。用于第二类型晶体管的第二扩散区域与第一扩散区域分离。第二类型晶体管包括第二漏极区和第二源极区。栅电极在布线方向上跨过第一扩散区域和第二扩散区域连续地延伸。第一金属结构与第一源极区电连接。第二金属结构与第二漏极区电连接。第三金属结构设置在第一和第二金属结构之上并且与其电连接。第一金属结构的宽度基本等于或大于第三金属结构的宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种集成电路，包括：用于第一类型晶体管的第一扩散区域，所述第一类型晶体管包括在所述第一扩散区域中的第一漏极区和第一源极区；用于第二类型晶体管的第二扩散区域，所述第二扩散区域与所述第一扩散区域分离，所述第二类型晶体管包括在所述第二扩散区域中的第二漏极区和第二源极区；栅电极，在布线方向上跨过所述第一扩散区域和所述第二扩散区域连续地延伸；第一金属结构，与所述第一漏极区电连接；第二金属结构，与所述第二漏极区电连接；以及第三金属结构，设置在所述第一金属结构和所述第二金属结构之上并且与所述第一金属结构和所述第二金属结构电连接，其中，所述第一金属结构的宽度基本等于或大于所述第三金属结构的宽度。
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