[发明专利]发光二极管及其制造方法无效
| 申请号： | 201110425345.8 | 申请日： | 2011-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN102437263A | 公开（公告）日： | 2012-05-02 |
| 发明（设计）人： | 肖德元;于婷婷;董云飞;戚梦瑶;于洪波;杨世名;许继仁;程蒙召;张汝京 | 申请（专利权）人： | 映瑞光电科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201306 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管，包括：衬底；依次位于衬底上的n型氮化镓层、有源层、p型氮化镓层；深度延伸至n型氮化镓层的第一开口；形成于第一开口内的第一电极；形成于所述p型氮化镓层上的电流扩散层，所述电流扩散层具有暴露出所述p型氮化镓层的第二开口；以及依次位于所述第二开口内的电流阻挡层和第二电极。本发明使电流阻挡层与其下方的p型氮化镓层直接接触，利用电流阻挡层与p型氮化镓层粘附性好的特性，提高产品的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管，包括：衬底；依次位于所述衬底上的n型氮化镓层、有源层、p型氮化镓层；深度延伸至所述n型氮化镓层的第一开口；形成于所述第一开口内的第一电极；形成于所述p型氮化镓层上的电流扩散层，所述电流扩散层具有暴露出所述p型氮化镓层的第二开口；以及依次位于所述第二开口内的电流阻挡层和第二电极。
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