[发明专利]半导体结构直接键合在一起的方法和键合的半导体结构有效
| 申请号： | 201110421060.7 | 申请日： | 2011-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN102543778A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 玛丽亚姆·萨达卡 | 申请（专利权）人： | 索泰克公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L25/00;H01L23/52 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;吕俊刚 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 半导体结构直接键合在一起的方法和键合的半导体结构。本发明的实施方式包括将半导体结构直接键合在一起的方法。在一些实施方式中，帽层可以设置在半导体结构的直接键合的金属特征部之间的界面处。在一些实施方式中，杂质设置在半导体结构的直接键合的金属特征部内。使用这样的方法来形成键合的半导体结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 直接 合在一起 方法 | ||
【主权项】：
一种将第一半导体结构直接键合到第二半导体结构的方法，该方法包括以下步骤：在所述第一半导体结构上的第一金属特征部的表面处形成包括金属和硅的帽层，所述帽层的表面限定了所述第一金属特征部的第一键合表面；和将所述第二半导体结构上的第二金属特征部的第二键合表面直接键合到所述第一半导体结构上的所述第一金属特征部的所述第一键合表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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