[发明专利]具有超低电介质常数介电质的集成电路系统及其制造方法有效
| 申请号： | 201110417540.6 | 申请日： | 2011-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN102569174A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | R·P·斯里瓦斯塔瓦 | 申请（专利权）人： | 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/312;H01L23/532 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 新加坡;SG |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有超低电介质常数介电质的集成电路系统及其制造方法，制造集成电路系统的方法，其是包含下列步骤：提供一蚀刻终止层；形成一层堆栈于该蚀刻终止层上方，其中，该层堆栈有在一低温氧化物层上方的一抗反射涂层；形成一光致抗蚀剂层于该抗反射涂层上方；由该光致抗蚀剂层形成一第一阻剂线与一第二阻剂线，其中，该第一阻剂线与该第二阻剂线被该抗反射涂层上的一直通线间距隔开；使用一低压聚合物爆发以一非氧化性气体混合物蚀刻该抗反射涂层，以移除该抗反射涂层的一部份；以及形成一第一聚合物层于该第一阻剂线上方。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 电介质 常数 介电质 集成电路 系统 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造集成电路系统的方法，其是包含下列步骤：提供一蚀刻终止层；形成一层堆栈于该蚀刻终止层上方，其中，该层堆栈有在一低温氧化物层上方的一抗反射涂层；形成一光致抗蚀剂层于该抗反射涂层上方；由该光致抗蚀剂层形成一第一阻剂线与一第二阻剂线，其中，该第一阻剂线与该第二阻剂线被该抗反射涂层上的一直通线间距隔开；使用一低压聚合物爆发以一非氧化性气体混合物蚀刻该抗反射涂层，以移除该抗反射涂层的一部份；以及形成一第一聚合物层于该第一阻剂线上方。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
