[发明专利]半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201110416334.3 | 申请日： | 2011-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN102569063A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 中泽亨 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/322 | 分类号： | H01L21/322 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 罗银燕 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体装置的制造方法。所述方法包括：在基板的第一面和第二面上形成第一绝缘膜；去除第二面上的第一绝缘膜；在第一面上的第一绝缘膜和第二面上形成多晶硅膜；在第一面和第二面上的多晶硅膜上形成第二绝缘膜；通过使用包含开口的掩模蚀刻第一面上的第二绝缘膜；去除第一面和第二面上的第二绝缘膜；以及去除第一面侧的多晶硅膜。所述方法还包括：在多晶硅膜形成步骤之后且在多晶硅膜去除步骤之前，形成保护第二面侧的多晶硅膜的钝化膜，使得第二面侧的多晶硅膜在多晶硅膜去除步骤中不被去除。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体装置的方法，所述方法包括：第一绝缘膜形成步骤，在半导体基板的第一面和第二面上形成第一绝缘膜；第一绝缘膜去除步骤，去除第二面侧的第一绝缘膜；多晶硅膜形成步骤，在第一面侧的第一绝缘膜和半导体基板的第二面上形成多晶硅膜；第二绝缘膜形成步骤，在第一面侧和第二面侧的多晶硅膜上形成第二绝缘膜；形成隔离的隔离形成步骤，隔离形成步骤包括通过使用包含开口的掩模蚀刻第一面侧的第二绝缘膜的处理，其中，隔离由开口限定并且形成在半导体基板的第一面中；第二绝缘膜去除步骤，在隔离形成步骤之后去除第一面侧和第二面侧的第二绝缘膜；以及多晶硅膜去除步骤，去除第一面和第二面中的第一面侧的多晶硅膜，其中，所述方法还包括：钝化膜形成步骤，在多晶硅膜形成步骤之后且在多晶硅膜去除步骤之前，形成保护第二面侧的多晶硅膜的钝化膜，使得第二面侧的多晶硅膜在多晶硅膜去除步骤中不被去除。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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