[发明专利]形成较小高差的半导体组件导电接触及半导体组件的方法有效
| 申请号： | 201110414241.7 | 申请日： | 2011-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN103021932A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 章正欣;陈逸男;刘献文 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人： | 余朦;王艳春 |
| 地址： | 中国台湾桃园县龟山*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种形成具有较小高差的半导体组件导电接触的方法，包括：形成多个闸极；在各闸极上形成缓冲层；形成绝缘层，填入各闸极间的空隙；形成与所述闸极交错的长条型光阻图案；以所述闸极和所述长条型光阻图案作为罩幕，使用自对准制程蚀刻绝缘层，形成多个第一开口；形成导电接触层，填入各第一开口；对导电接触层进行第一化学机械研磨制程；移除缓冲层；以及对导电接触层进行第二化学机械研磨制程。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 较小 高差 半导体 组件 导电 接触 方法 | ||
【主权项】：
一种形成具有较小高差的半导体组件导电接触的方法，其特征在于，包括：形成多个闸极；在各闸极上形成缓冲层；形成绝缘层，填入所述各闸极间的空隙；形成与所述多个闸极交错的长条型光阻图案；以所述多个闸极和所述长条型光阻图案作为罩幕，使用自对准制程蚀刻该绝缘层，形成多个第一开口；形成导电接触层，填入各第一开口；对所述导电接触层进行第一化学机械研磨制程；移除所述缓冲层；以及对所述导电接触层进行第二化学机械研磨制程。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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