[发明专利]一种原位生长金属氧化物、金属氮化物、金属碳化物纳米线的方法

摘要

一种原位生长金属氧化物、金属氮化物、金属碳化物纳米线的方法，属于属于材料化工技术领域。其特征是采用半导体蚀刻工艺在绝缘基板的抛光面上制备平行导电电极，将可溶于有机溶剂或者水的金属盐溶液滴覆在制备的电极之间，采用两步双向电泳法，先在电极两端施加频率范围为0-1000赫兹，振幅在1-20伏特之间的交流电场，持续1-50秒，然后将频率增加到高频区2兆到200亿赫兹之间，持续1秒到30分钟，在两电极之间原位生长金属纳米线，然后再将金属纳米线在氧气、氨气、碳氢化合物的气氛下分别在400-1600度下焙烧后，获得对应金属氧化物、金属氮化物或金属碳化物纳米线。本发明的效果和益处是，实现单根纳米线的原位电连接，避免去模板和转移过程存在的技术困难。

主权项

一种原位生长金属氧化物、金属氮化物、金属碳化物纳米线的方法，其特征是采用半导体薄膜蚀刻工艺在绝缘基板的抛光面上制备平行导电电极，将可溶于有机溶剂或者水的金属盐溶液滴覆在制备的平行电极之间，这里使用的金属盐中的金属元素包括：Sn，Ti，Zn，Cu，Ga，Fe，Ni，Co，In，Cr，W，La，然后采用两步双向电泳法，先在电极两端施加频率范围为0‑1000赫兹、振幅在1‑20伏特之间的交流电场，时间1‑50秒，然后将频率增加到高频区2兆到200亿赫兹之间，时间1秒到30分钟，从而在电极之间生长金属纳米线；生长完成之后，用水或者丙酮冲去表面的残余溶液，然后将生长的纳米线分别放置到有氧气，氨气或碳氢化合物气氛的高温炉中，在400‑1600度之间进行焙烧，将金属纳米线分别进行氧化、氮化和碳化，从而获得对应的金属氧化物、氮化物或碳化物纳米线。