[发明专利]用于制造具有绝缘半导体台面的半导体组件的方法有效
| 申请号： | 201110408395.5 | 申请日： | 2011-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN102543870A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | H.格鲁贝尔;F.希尔勒;A.莫德;A.迈泽;H.罗特莱特纳 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L21/768;H01L27/06;H01L23/522 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 曲宝壮;卢江 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 用于制造具有绝缘半导体台面的半导体组件的方法。用于制造半导体组件的方法包括：提供具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的半导体本体；蚀刻从第一表面部分地进入到半导体本体的绝缘沟槽；在绝缘沟槽的一个或更多侧壁上形成第一绝缘层；通过研磨、抛光和CMP工艺其中至少一个处理第二表面以露出第一绝缘层；以及在处理的第二表面上沉积延伸到第一绝缘层的第二绝缘层。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 具有 绝缘 半导体 台面 组件 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造半导体组件的方法,包括：提供具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的半导体本体；形成从第一表面进入到半导体本体中的绝缘沟槽；至少在绝缘沟槽的一个或更多侧壁上形成第一绝缘层；从第二表面去除半导体本体的半导体材料以露出第一绝缘层的底部部分且形成背表面；以及在背表面上沉积第二绝缘层，使得，形成通过第一绝缘层和第二绝缘层彼此绝缘的至少两个半导体台面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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