[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201110408212.X | 申请日： | 2011-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN102544008A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 吉久康树;新田哲也 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 陈伟;孟祥海 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件，其抑制电子从输出晶体管的形成区域向其它元件的形成区域的移动的效果高、并能够抑制元件的错误动作。具备半导体衬底(SUB)、一对注入源元件(DR)、有源势垒结构(AB)以及p型接地区域(PGD)。半导体衬底(SUB)具有主表面且在内部具有p型区域。一对注入源元件(DR)形成在p型区域上且形成在主表面上。有源势垒结构(AB)配置在主表面上被一对注入源元件(DR)夹持的区域上。p型接地区域(PGD)是如下的区域：形成在避开主表面上被一对注入源元件(DR)夹持的区域而与一对注入源元件(DR)和有源势垒结构(AB)相比更靠近主表面的端部侧，并且与p型区域电连接，能够施加接地电位。p型接地区域(PGD)在与一对注入源元件(DR)所夹持的区域相邻的区域上断开。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其具备：半导体衬底，其具有主表面且在内部具有p型区域；一对注入源元件，其形成在上述p型区域上且形成在上述主表面上；有源势垒结构，其配置在上述主表面上被上述一对注入源元件夹持的区域上；以及p型接地区域，其形成在避开上述主表面上被上述一对注入源元件夹持的上述区域而与上述一对注入源元件和上述有源势垒结构相比更靠近上述主表面的端部侧，并且与上述p型区域电连接，能够施加接地电位，其中，上述p型接地区域在与上述一对注入源元件所夹持的上述区域相邻的区域上被断开。
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- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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