[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，其具备：

半导体衬底，其具有主表面且在内部具有p型区域；

一对注入源元件，其形成在上述p型区域上且形成在上述主表面上；

有源势垒结构，其配置在上述主表面上被上述一对注入源元件夹持的区域上；以及

p型接地区域，其形成在避开上述主表面上被上述一对注入源元件夹持的上述区域而与上述一对注入源元件和上述有源势垒结构相比更靠近上述主表面的端部侧，并且与上述p型区域电连接，能够施加接地电位，

其中，上述p型接地区域在与上述一对注入源元件所夹持的上述区域相邻的区域上被断开。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

上述p型接地区域在上述主表面上被配置成相对于上述一对注入源元件间的中心线形成为线对称。

3.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其特征在于，

上述p型接地区域通过被断开而具有上述一对注入源元件中的一方的注入源元件侧的一端部、和上述一对注入源元件中的另一方的注入源元件侧的另一端部，

上述一方的注入源元件与上述p型接地区域的上述另一端部在上述主表面上的最短距离和上述另一方的注入源元件与上述p型接地区域的上述一端部在上述主表面上的最短距离大于上述半导体衬底的厚度。

4.根据权利要求1～3的任一项所述的半导体器件，其特征在于，

还具备n型区域，该n型区域在上述主表面上被配置在上述一对注入源元件的每一个与上述p型接地区域之间。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，

上述n型区域在上述主表面上被配置成包围上述p型接地区域的周围。

6.根据权利要求4或5所述的半导体器件，其特征在于，

上述n型区域具有浮动电位。

7.根据权利要求1～6的任一项所述的半导体器件，其特征在于，

还具备n型接地区域，该n型接地区域在上述主表面上被配置在被上述一对注入源元件夹持的上述区域上，并能够施加接地电位。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，

上述n型接地区域在上述主表面上被配置成包围上述一对注入源元件各自的周围。

9.一种半导体器件，其具备：

半导体衬底，其具有主表面且在内部具有p型区域；

一对注入源元件，其形成在上述p型区域上且形成在上述主表面上；

有源势垒结构，其配置在上述主表面上被上述一对注入源元件夹持的区域上；

p型接地区域，其形成在避开上述主表面上被上述一对注入源元件夹持的上述区域而与上述一对注入源元件和上述有源势垒结构相比更靠近上述主表面的端部侧，并且与上述p型区域电连接，能够施加接地电位；以及

n型区域，其在上述主表面上被配置在上述一对注入源元件的每一个与上述p型接地区域之间。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，

上述n型区域在上述主表面上被配置成包围上述p型接地区域的周围。

11.根据权利要求9或10所述的半导体器件，其特征在于，

上述n型区域具有浮动电位。

12.根据权利要求9～11所述的半导体器件，其特征在于，

还具备n型接地区域，该n型接地区域被配置在上述主表面上被上述一对注入源元件夹持的上述区域上，并能够施加接地电位。

13.根据权利要求12所述的半导体器件，其特征在于，

上述n型接地区域在上述主表面上被配置成包围上述一对注入源元件各自的周围。