[发明专利]一种制备铜铟镓硒薄膜的等离子体协助硒化工艺及装置有效
| 申请号： | 201110406154.7 | 申请日： | 2011-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN102443779A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 罗派峰;任宇航;黄治 | 申请（专利权）人： | 尚越光电科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/30 | 分类号： | C23C16/30;C23C16/452;C23C16/56;H01L31/18 |
| 代理公司： | 杭州新源专利事务所(普通合伙) 33234 | 代理人： | 李大刚 |
| 地址： | 310023 浙江省杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制备铜铟镓硒薄膜的等离子体协助硒化工艺及装置，采用热蒸发Se结合PECVD装置作为独立的等离子体气源系统，同时搭配加热源采用电阻丝加热或卤光灯光照加热的硒化炉对铜铟镓硒前驱体薄膜进行硒化，等离子体气源系统和硒化炉结合部采用热丝管连接以保持等离子体反应活性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 铜铟镓硒 薄膜 等离子体 协助 化工 装置 | ||
【主权项】：
一种制备铜铟镓硒薄膜的等离子体协助硒化工艺，其特征在于：采用热蒸发Se结合PECVD装置作为独立的等离子体气源系统，同时搭配加热源采用电阻丝加热或卤光灯光照加热的硒化炉对铜铟镓硒前驱体薄膜进行硒化，等离子体气源系统和硒化炉结合部采用热丝管连接以保持等离子体反应活性。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
