[发明专利]非易失性存储器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201110405633.7 | 申请日： | 2011-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN102544063A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 崔殷硕;刘泫升 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L27/115;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 郭放;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种非易失性存储器件及其制造方法。所述非易失性存储器件包括：衬底，所述衬底包括电阻器层，所述电阻器层具有比源极线的电阻低的电阻；沟道结构，所述沟道结构包括在衬底之上与多个沟道层交替层叠的多个层间电介质层；以及源极线，所述源极线被配置为与沟道层的侧壁接触，其中，源极线的下端部与电阻器层接触。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种非易失性存储器件，包括：衬底，所述衬底包括电阻器层，所述电阻器层具有比源极线的电阻低的电阻；沟道结构，所述沟道结构包括交替层叠在所述衬底之上的多个层间电介质层和多个沟道层；以及源极线，所述源极线被配置为与所述沟道层的侧壁接触，其中，所述源极线的下端部与所述电阻器层接触。
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