[发明专利]化合物半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201110402827.1 | 申请日： | 2011-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN102487074A | 公开（公告）日： | 2012-06-06 |
| 发明（设计）人： | 石黑哲郎;山田敦史 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 李琳;张龙哺 |
| 地址： | 日本国神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种化合物半导体器件及其制造方法，该器件包括：基底；初始层，形成在基底的上方；以及核心层，形成在初始层的上方且包含III-V族化合物半导体。初始层是核心层中所包含的III-V族化合物半导体的III族原子的层。本发明可降低形成裂痕的可能性和/或可以防止形成裂痕，并使更高的电子迁移率变得可实现。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种化合物半导体器件，包括：基底；初始层，形成在所述基底的上方；以及核心层，形成在所述初始层的上方且包含III‑V族化合物半导体，其中，所述初始层是所述核心层中所包含的III‑V族化合物半导体的III族原子的层。
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