[发明专利]化合物半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种化合物半导体器件，包括：

基底；

初始层，形成在所述基底的上方；以及

核心层，形成在所述初始层的上方且包含III-V族化合物半导体，

其中，所述初始层是所述核心层中所包含的III-V族化合物半导体的III族原子的层。

2.根据权利要求1所述的化合物半导体器件，其中，所述初始层和所述核心层形成成核层。

3.根据权利要求2所述的化合物半导体器件，其中，所述初始层是Al层，所述核心层是AlN层。

4.根据权利要求1所述的化合物半导体器件，其中，所述初始层和所述核心层形成电子传输层。

5.根据权利要求4所述的化合物半导体器件，其中，所述初始层是Ga层，所述核心层是GaN层。

6.一种化合物半导体器件，包括：

基底；

成核层，形成在所述基底的上方；

缓冲层，形成在所述成核层的上方；

电子传输层，形成在所述缓冲层的上方；以及

电子供应层，形成在所述电子传输层的上方，

其中，所述成核层和所述电子传输层中的至少一个包括初始层和核心层，该核心层在所述初始层的上方形成且包含III-V族化合物半导体；以及

其中，所述初始层是所述核心层中所包含的III-V族化合物半导体的III族原子的层。

7.根据权利要求6所述的化合物半导体器件，其中，所述初始层是Al层、Ga层或AlGa层，所述核心层是AlN层、GaN层或AlGaN层。

8.根据权利要求6所述的化合物半导体器件，其中，所述缓冲层包括第二初始层和在所述第二初始层的上方形成且包含III-V族化合物半导体的第二核心层；并且其中，所述第二初始层是所述第二核心层中所包含的III-V族化合物半导体的III族原子的层。

9.根据权利要求6所述的化合物半导体器件，其中，所述基底是Si基底、SiC基底或蓝宝石基底。

10.一种化合物半导体器件的制造方法，包括：

在基底的上方形成初始层；以及

在所述初始层的上方形成包含III-V族化合物半导体的核心层，

其中，所述初始层是所述核心层中所包含的III-V族化合物半导体的III族原子的层。

11.根据权利要求10所述的化合物半导体器件的形成方法，其中，所述初始层和所述核心层形成成核层。

12.根据权利要求11所述的化合物半导体器件的形成方法，其中，所述初始层是Al层，所述核心层是AlN层。

13.根据权利要求10所述的化合物半导体器件的形成方法，其中，所述初始层和所述核心层形成电子传输层。

14.根据权利要求13所述的化合物半导体器件的形成方法，其中，所述初始层是Ga层，所述核心层是GaN层。

15.一种化合物半导体器件的制造方法，包括：

在基底的上方形成成核层；

在所述成核层的上方形成缓冲层；

在所述缓冲层的上方形成电子传输层；以及

在所述电子传输层的上方形成电子供应层，

其中，所述成核层和所述电子传输层中的至少一个包括初始层和核心层，该核心层在所述初始层的上方形成且包含III-V族化合物半导体；以及

其中，所述初始层是所述核心层中所包含的III-V族化合物半导体的III族原子的层。

16.根据权利要求15所述的化合物半导体器件的制造方法，其中，所述初始层是Al层、Ga层或AlGa层，所述核心层是AlN层、GaN层或AlGaN层。

17.根据权利要求15所述的化合物半导体器件的制造方法，其中，所述缓冲层包括第二初始层和在所述第二初始层的上方形成且包含III-V族化述缓冲层包括第二初始层和在所述第二初始层的上方形成且包含III-V族化合物半导体的第二核心层；并且其中，所述第二初始层是所述第二核心层中所包含的III-V族化合物半导体的III族原子的层。

18.根据权利要求15所述的化合物半导体器件的制造方法，其中，所述基底是Si基底、SiC基底或蓝宝石基底。