[发明专利]平面型单向触发二极管芯片及其制造方法有效
| 申请号： | 201110400106.7 | 申请日： | 2011-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN102412268A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 邓爱民;吴金姿;徐泓;保爱林 | 申请（专利权）人： | 绍兴旭昌科技企业有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/36;H01L29/861;H01L21/329 |
| 代理公司： | 浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 | 代理人： | 徐关寿 |
| 地址： | 312000 浙江省绍*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开一种平面型单向触发二极管芯片及其制造方法。它包括硅基片，在硅基片的抛光面上设有第一PN结以及第一扩散层，在第一扩散层上设有第二PN结以及第二扩散层，该芯片在厚度方向形成了浓度渐变的三层结构，分别为浓度最低的硅基片，浓度高于硅基片的第一扩散层，浓度高于第一扩散层的第二扩散层，在第一PN结和第二PN结暴露于硅基片的抛光表面上覆盖有钝化层，在第二扩散层的上表面以及硅基片背面沉积金属导电层。本发明具有制程工艺简单、可靠性高、可替换应用于节能灯半桥逆变器启动电路中双向触发二极管等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 平面 单向 触发 二极管 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种平面型单向触发二极管芯片，包括硅基片（1），其特征在于：在硅基片（1）的抛光面上设有第一PN结（2）以及第一扩散层（3），在第一扩散层（3）上设有第二PN结（4）以及第二扩散层（5），且第一PN结（2）以及第二PN结（4）均为曲面结，该芯片在厚度方向形成了浓度渐变的三层结构，分别为浓度最低的硅基片（1），其浓度（C1）为9.5E15～5E16，浓度高于硅基片（1）的第一扩散层（3），其最高浓度（C2）为1.5E17～8E17，浓度高于第一扩散层（3）的第二扩散层（5），其最高浓度（C3）为1E20～2E21，第一PN结（2）与第二PN结（4）之间的距离（6）为0.5～10微米，在第一PN结（2）和第二PN结（4）暴露于硅基片（1）的抛光表面（7）上覆盖有钝化层（8），在第二扩散层（5）的上表面以及硅基片（1）背面沉积金属导电层（9）。
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