[发明专利]用于沉积含金属薄膜的金属-烯醇化物前体有效

专利信息
申请号: 201110399585.5 申请日: 2011-11-30
公开(公告)号: CN102558221A 公开(公告)日: 2012-07-11
发明(设计)人: J·A·T·诺曼;雷新建 申请(专利权)人: 气体产品与化学公司
主分类号: C07F7/28 分类号: C07F7/28;C07F7/00;C23C16/44;C23C16/18
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 吴亦华;徐志明
地址: 美国宾夕*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明涉及用于沉积含金属膜金属薄膜的金属-烯醇化物前体。提供了适合作为用于含金属薄膜的蒸气相沉积前体的有机金属化合物。还提供了使用特定有机金属前体沉积含金属薄膜的方法。这些含金属薄膜可用于电子器件的制造。
搜索关键词: 用于 沉积 金属 薄膜 醇化 物前体
【主权项】:
1.由下式1表示的包含烯醇根配体的含金属前体:其中,M是选自元素周期表的镧系或3族至16族的、氧化态(n)为+2至+6的金属;R1、R2和R3独立地是H或选自甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、仲丁基、戊基、异戊基、仲戊基、己基、仲己基、叔丁基、叔戊基和1,1-二甲基丁基的C1-C6烷基;(L)是阴离子配体或阴离子配体混合物,选自:烷基取代的烯醇根、烷氧基、烷基氨基、二烷基氨基、二酮根、酮亚胺根、二亚胺根、胍基、脒基、环戊二烯基、烷基取代的环戊二烯基、烷氧基取代的环戊二烯基、氨基取代的环戊二烯基、吡咯基、烷基取代的吡咯基、烷氧基取代的吡咯基、氨基取代的吡咯基;咪唑根、烷基取代的咪唑根、烷氧基取代的咪唑根、氨基取代的咪唑根、吡唑、烷基取代的吡唑、烷氧基取代的吡唑根和烷氧基取代的吡唑根;(L)也可以是二烯醇根双阴离子;(Z)是选自烷基胺、多烷基胺、醚、聚醚、咪唑、吡啶、烷基取代的吡啶、嘧啶、烷基取代的嘧啶和噁唑的中性配位配体;(y)=1-4;(x)=1-6;优选包括双(2,2,5,5-四甲基己-3-烯-3-醇根合)六(乙氧基)二钛,和/或双(2,2,5,5-四甲基己-3-烯-3-醇根合)(双(异丙氧基)钛,和/或三(2,2,5,5-四甲基己-3-烯-3-醇根合)(二甲基氨基)钛。
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