[发明专利]高压LDMOS器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201110394437.4 | 申请日： | 2011-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN103137692A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 李亮;吴苑 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高压LDMOS器件，在不影响原先整体布局且不增加任何成本的前提下，利用多晶硅栅极对轻掺杂漏区的电场调节作用，通过调整漂移区中的二氧化硅的形貌为m形，栅极为n形，减薄了多晶硅栅极一端下方的绝缘层厚度，从而增强了多晶硅栅极对轻掺杂漏区的电荷感应，使得表面耗尽区展宽，电场分布减弱，最终实现高压LDMOS器件源漏间耐压能力的提高。本发明还公开了所述高压LDMOS器件的制造方法，其可以与低压LDMOS器件一起制造，这种情况下完全兼容于现有工艺步骤，几乎不增加任何成本。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 ldmos 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种高压LDMOS器件，包括漂移区和栅极，在漂移区中具有二氧化硅作为场氧隔离结构或浅槽隔离结构；其特征是，所述场氧隔离结构的上表面的中间部分具有一个下凹部；该场氧隔离结构因此横向分为第一端部、中间凹陷部和第二端部；所述栅极呈n形即中间高两边低；中间高的部分在所述场氧隔离结构的一个端部之上，一端低的部分在所述场氧隔离结构的中间凹陷部之上，另一端低的部分在栅氧化层之上。
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